1.1靜電屏蔽

　　用金屬屏蔽體將帶正電導體包圍起來，則在屏蔽體的內(nèi)側(cè)將感應出與帶電導體等量的負電荷，外側(cè)出現(xiàn)與帶電導體等量的正電荷，因此外側(cè)仍有電場存在。

　　如果將金屬屏蔽體接地，外側(cè)的正電荷將流入大地，外側(cè)將不會有電場存在，即帶正電導體的電場被屏蔽在金屬屏蔽體內(nèi)。這種屏蔽需要完善的屏蔽體和良好的接地。

　　1.2交變電場屏蔽

　　交變電場對敏感電路產(chǎn)生耦合電壓，可以在干擾源和敏感電路間設(shè)置導電性好的金屬屏蔽體，并將其接地。

　　交變電場對敏感電路的耦合干擾電壓大小取決于交變電場電壓、耦合電容和金屬屏蔽體接地電阻之積。

　　只要設(shè)法使金屬屏蔽體良好接地，就能使交變電場對敏感電路的耦合干擾電壓變得很小。電場屏蔽以反射為主，故屏蔽體的厚度不必過大，而以結(jié)構(gòu)強度為主要考慮因素。

　　1.3交變磁場屏蔽

　　交變磁場屏蔽分為高頻屏蔽和低頻屏蔽。低頻磁場屏蔽是利用高導磁率的材料構(gòu)成磁力線的低磁阻通路，使大部分磁場被封在屏蔽體內(nèi)。屏蔽體的導磁率越高，厚度越大，磁阻越小，磁場屏蔽的效果越好。

　　高頻磁場屏蔽是利用高導電率的材料產(chǎn)生渦流的反向磁場來抵消磁場干擾。

　　1.4交變電磁場屏蔽

　　交變電磁場利用屏蔽體在高頻磁場的作用下產(chǎn)生反方向的渦流磁場與原磁場抵消而削弱高頻磁場的干擾又因屏蔽體接地而實現(xiàn)電場屏蔽。這種屏蔽一般采用導電率高的材料作屏蔽體，并將屏蔽體接地而為零電位；屏蔽體的厚度不必過大，而以趨膚深度和結(jié)構(gòu)強度為主要考慮因素。

　　屏蔽體的有效性用屏蔽效能來度量，屏蔽效能（SE）是指電磁場中同一位置無屏蔽時的電場強度E0或磁場強度H0與加屏蔽體后該位置的電場強度ES或磁場強度HS之比。它表征屏蔽體對電磁波的衰減程度，常用分貝（dB）表示：

　　屏蔽效能一般用謝昆諾夫公式式中：A為吸收損耗；R為反射損耗；B為多次反射損耗。

　　2.1吸收損耗A

　　吸收損耗A為電磁波在屏蔽金屬時因衰減或熱損耗而產(chǎn)生：=131.43（3）式中：u為屏蔽材料相對空氣介質(zhì)的導磁系數(shù)；為屏蔽材料相對銅的電導率；f為電磁波頻率（Hz）；d為屏蔽材料厚度（mm）。

　　2.2反射損耗R

　　R是反射損耗，它同入射波的源有關(guān)。

　　式中D為離屏蔽點的距離。

　　2.3多次反射損耗B

　　B為屏蔽體內(nèi)部多次反射損耗：B=10lg （1-2×10 -0.1A cos0.23A+10 -0.2A）（7）當A>10dB時，一般可以不計多次反射損耗。

　　根據(jù)上述電磁屏蔽理論和屏蔽效能相關(guān)公式，可以得出如下電子教學儀器電磁屏蔽的基本方法：（1）屏蔽效能與屏蔽體到輻射源的距離有關(guān)，距離越大，屏蔽效能越好。

　　（2）干擾源以電壓方式產(chǎn)生干擾時，應采取電場屏蔽的方法；當干擾源以電流形式產(chǎn)生干擾時，應采取磁場屏蔽的方法。要求屏蔽殼體良好接地，接地電阻應<2 m.

　　（3）干擾電磁場的頻率較高時，利用低電阻率的金屬材料所產(chǎn)生的渦流對外來電波的抵消作用，從而達到屏蔽的效果，如當干擾源的頻率高于100 kHz時，應用良導體來做屏蔽殼體，殼體厚度只考慮滿足機械強度的要求，僅0.20.8mm即可。干擾電磁波的頻率較低時，采用高導磁率的材料，從而使磁力線限制在屏蔽體的內(nèi)部，防止擴散到屏蔽空間去，如當頻率低于100 kHz時，采用高導磁率的鐵磁材料來做屏蔽殼體，屏蔽殼體盡可能厚一些，應注意不能在磁通垂直方向開口。

　　（4）同一種屏蔽材料對電場屏蔽*高，對磁場屏蔽*低，即磁場*難屏蔽，還應注意屏蔽材料在不同頻段的特性有所不同。

　　在某些場合，如果要對高頻和低頻的電磁場都具有良好屏蔽效果時，一般采用不同的金屬材料組成多層屏蔽。

　　若屏蔽外部為強磁場，則外部用不易飽和的高磁導率的材料，內(nèi)部用易飽和的高磁導率材料；若屏蔽內(nèi)部為強磁場，則材料選擇與上述相反。

　　對于雙層或多層屏蔽不能進行多點電接觸，否則，就相當于一層屏蔽。為了得到*佳的屏蔽效果，對都2屏蔽效能（SE）=20lg （）或=20lg （）（1）平面波：R=168.2+lg （）（4）磁場時：R=20lg（5.35 / +0.354+1.17×10 -2）（5）3電子教學儀器電磁屏蔽設(shè)計的基本方法電場時：R=3.217+10lg （5）是鐵磁材料的屏蔽層，屏蔽層之間的距離等于每層屏蔽材料的厚度。屏蔽層是鐵磁材料與導電材料共同構(gòu)成的多層屏蔽時，屏蔽層間不應有間隙。

　　對電子教學儀器進行屏蔽設(shè)計，應根據(jù)電磁屏蔽原理、儀器具體要求和生產(chǎn)工藝條件等整體設(shè)計，要考慮干擾源的性質(zhì)、頻率，區(qū)分是近場區(qū)或遠場區(qū)，分析教學儀器本身的輻射發(fā)射以及耦合方式，找出敏感組件，確定屏蔽要求，再設(shè)計電磁屏蔽，使屏蔽效能盡量接近理論計算值，因此應主要考慮以下因素。

　　4.1屏蔽材料選擇

　　在具體的電子教學儀器設(shè)計中要考慮屏蔽材料的電導率、磁通率。理論上講電導率、磁通率越高，屏蔽效果越好，還應考慮材料性價比及強度、重量、散熱性、工藝性等因素。

　　目前常用的屏蔽材料有金屬平板（如銅、鋁、鋼、純鐵及高磁導率的鐵鎳合金等）、屏蔽薄膜、金屬絲網(wǎng)、導電纖維、導電顆粒、導電膠、導電涂料、鈹銅**、屏蔽復合板、純棉滌電磁材料等。

　　4.2屏蔽體的壁厚和表面處理

　　屏蔽體的壁厚在滿足剛性與強度的要求下，不超過2.5mm，一般都選擇1.01.5mm.壁厚增大，對電磁流的吸收損耗越大，屏蔽效果越好，但壁厚會受重量等因素的制約。屏蔽體表面處理直接影響到其表面的導電性，影響接觸面的接觸電阻，影響整個殼體的電氣連續(xù)性，從而影響儀器的屏蔽效果。

　　4.3屏蔽結(jié)構(gòu)形式

　　對電子教學儀器的屏蔽結(jié)構(gòu)設(shè)計的關(guān)鍵是從縫隙、通風孔、表頭、開關(guān)、指示燈、輸入輸出連接器、印制線路板等方面考慮。

　　4.3.1印制線路板

　　在印制電路板上除電連接器邊外的另外3個周邊設(shè)置地線。在電磁干擾源和對電磁干擾敏感的接收電路分別設(shè)置屏蔽罩，在其間設(shè)置屏蔽導線，并盡量多保留導線間的涂覆層；在多塊印制電路板之間設(shè)置屏蔽板。屏蔽罩、屏蔽導線和屏蔽板都要接到電路板的基準電位上。

　　4.3.2縫隙

　　縫隙是引起電磁波泄漏的重要因素之一，縫隙越長，泄漏越多。設(shè)計時主要考慮：采用合理的結(jié)構(gòu)使縫隙數(shù)量*小；增加接縫處的重疊尺寸實際上是增加了縫隙的深度，從而可增大縫隙的傳輸損耗；減少縫隙長度，可以減少電磁波的泄漏；改變縫隙的形式，如將平縫改為坡縫，可增大電磁波的反射損耗和傳輸損耗；在縫隙間可裝導電彈性襯墊，或在縫隙處涂上導電涂料，可顯著的改善接合處的電接觸。用螺釘連接的結(jié)合面可通過增加連接螺釘數(shù)量，減小螺釘間距，使縫隙長度相應減小，屏蔽效能得到提高。

　　4.3.3孔洞

　　對于有孔洞的屏蔽應該注意：在孔洞面積相同的情況下，因為圓孔線徑*短，因此圓孔的屏蔽效果比方孔的屏蔽效果好；減少孔洞的數(shù)目，應采用盡可能合理的裝備結(jié)構(gòu)使孔洞數(shù)目*少；在滿足要求的情況下，用多個小孔洞代替一個大孔洞；不同面上的孔洞不會增加泄漏，因為其輻射來源于不同的方向，因此可以把孔洞分布在不同的面上，或者把孔洞分布在與主要的干擾電磁波垂直的面上。

　　4.3.4表頭

　　電子教學儀器的箱體面板上一般都裝有指示電參數(shù)的表頭，安裝表頭需要在面板上開相應尺寸的孔。

　　為防止從表頭孔中泄漏電磁能量，結(jié)構(gòu)上可采用：（1）表頭背面采用附加屏蔽的結(jié)構(gòu)，面板與屏蔽體之間加入導電襯墊以減小縫隙。穿入屏蔽體的表頭引線由裝在屏蔽體上的穿心電容引入，使引線感應的干擾信號旁路到地。

　　（2）表面上覆蓋導電玻璃，由于導電玻璃主要對電場和高頻電場有屏蔽作用，所以表頭本身*好具有屏蔽作用，或者采用帶有細金屬網(wǎng)夾層的導電玻璃，這樣對磁場也有一定的屏蔽效能。

　　4.3.5接插件與電纜連接器

　　接插件和電纜是傳導干擾的重要途徑，插座孔還是電磁泄漏的重要部位，因此對于電磁兼容的儀器，除選用屏蔽電纜外，還應選用具有屏蔽效果和濾波能力的接插件。

　　4電子教學儀器的電磁屏蔽具體設(shè)計措施

　　連接器的屏蔽效能也是影響電子教學設(shè)備整體電磁密封性能的重要因素之一，從屏蔽效能看，螺紋式的連接器高于卡口，連接器安裝面與屏蔽體之間可用導電橡膠板沖切成相應形狀的襯墊進行縫隙的電磁屏蔽，安裝時首先要把配接表面上的不導電物質(zhì)（如油垢、氧化層及不導電的表面涂層等）**干凈。